纳秒级脉冲电源斩波器件采用新型器件碳化硅MOSFET，碳化硅材料有更大的禁带宽度，更高的临界场强使得基于这种材料制作的功率半导体具有高耐压，低导通电阻，寄生参数小等优异特性。具有损耗小、工作频率高、可靠性高、电源功率密度高等优点。电源的输出频率1-5000KHz，最窄脉冲宽度：200nS（5000KHz）,输出电压1-100V，输出电流1-100A，输出功率0.5-10KW。